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FETs, MOSFETs
| Foto | Nº da peça do fabricante | Disponibilidade | Quantidade | Ficha técnica | Série | Pacote/Caixa | Embalagem | Status do produto | Tipo FET | Tecnologia | Dreno para tensão de fonte (Vdss) | Corrente - Dreno contínuo (Id) @ 25 °C | Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado) | Rds ligado (Máx.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Máx.) @ Id | Carga de porta (Qg) (máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | Característica FET | Dissipação de Energia (Máx.) | Temperatura operacional | Grau | Qualificação | Tipo de montagem | Pacote do dispositivo do fornecedor |
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P3M06060G7SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7 |
6,512 |
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Ficha técnica |
P3M | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 44A | 15V | 79mOhm @ 20A, 15V | 2.2V @ 20mA (Typ) | - | +20V, -8V | - | - | 159W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK-7 |
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SCT4013DTWSiC FET Top Side Cooling |
3,523 |
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- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
