Por favor, contacte-nos para obter os preços mais recentes e a quantidade disponível.

FETs, MOSFETs Únicos, MOSFETs

Foto Nº da peça do fabricante Disponibilidade Preço Quantidade Ficha técnica Série Pacote/Caixa Embalagem Status do produto Tecnologia Configuração Frequência Ganho Tensão - Teste Classificação de Corrente (Amps) Figura de ruído Corrente - Teste Potência - Saída Voltagem - Nominal Grau Qualificação Tipo de montagem Pacote do dispositivo do fornecedor
CGH21240F

CGH21240F

RF MOSFET HEMT 28V 440117

MACOM Technology Solutions

54
RFQ
CGH21240F

Ficha técnica

GaN 440117 Tray Active HEMT - 1.8GHz ~ 2.3GHz 15dB 28 V - - 1 A 240W 84 V - - Chassis Mount 440117
CGHV96050F2

CGHV96050F2

RF MOSFET HEMT 40V 440210

MACOM Technology Solutions

30
RFQ
CGHV96050F2

Ficha técnica

GaN 440210 Tray Active HEMT - 7.9GHz ~ 9.6GHz 10dB 40 V 6A - 500 mA 70W 100 V - - - 440210
CGHV31500F1

CGHV31500F1

RF MOSFET HEMT 50V 440226

MACOM Technology Solutions

26
RFQ
CGHV31500F1

Ficha técnica

- 440226 Tray Active HEMT - 2.7GHz ~ 3.1GHz 15dB 50 V - - 500 mA 500W 50 V - - - 440226
CGHV96130F

CGHV96130F

RF MOSFET HEMT 40V 440217

MACOM Technology Solutions

50
RFQ
CGHV96130F

Ficha técnica

GaN 440217 Tray Active HEMT - 8.4GHz ~ 9.6GHz 13.8dB 40 V - - 1 A 130W 120 V - - Chassis Mount 440217
MMBF4416A

MMBF4416A

RF MOSFET JFET 15V SOT23-3

onsemi

33,914
RFQ
MMBF4416A

Ficha técnica

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active JFET N-Channel 400MHz - 15 V 15mA 4dB 5 mA - 35 V - - Surface Mount SOT-23-3
MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G

RF MOSFET JFET SOT23-3

onsemi

15,670
RFQ
MMBFJ309LT1G

Ficha técnica

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active JFET N-Channel - - - 30mA - - - 25 V - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G

RF MOSFET JFET 10V SOT23-3

onsemi

14,933
RFQ
MMBFJ310LT3G

Ficha técnica

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active JFET N-Channel - 12dB 10 V 60mA - 10 mA - 25 V - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G

MMBFJ310LT1G

RF MOSFET JFET 10V SOT23-3

onsemi

13,631
RFQ
MMBFJ310LT1G

Ficha técnica

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active JFET N-Channel - 12dB 10 V 60mA - 10 mA - 25 V - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ211

MMBFJ211

RF MOSFET JFET SOT23-3

onsemi

33,792
RFQ
MMBFJ211

Ficha técnica

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active JFET N-Channel - - - 20mA - - - 25 V - - Surface Mount SOT-23-3
SMMBFJ310LT3G

SMMBFJ310LT3G

RF MOSFET JFET 10V SOT23-3

onsemi

55,165
RFQ
SMMBFJ310LT3G

Ficha técnica

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active JFET N-Channel - 12dB 10 V 60mA - 10 mA - 25 V Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
SMMBFJ309LT1G

SMMBFJ309LT1G

RF MOSFET JFET 25V SOT23-3

onsemi

31,763
RFQ
SMMBFJ309LT1G

Ficha técnica

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active JFET N-Channel - - - 30mA - - - 25 V Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
3SK293(TE85L,F)

3SK293(TE85L,F)

RF MOSFET 6V USQ

Toshiba Semiconductor and Storage

33,895
RFQ
3SK293(TE85L,F)

Ficha técnica

- SC-82A, SOT-343 Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Dual Gate 800MHz 22dB 6 V 30mA 2.5dB 10 mA - 12.5 V - - Surface Mount USQ
SAV-581+

SAV-581+

RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362

Mini-Circuits

1,211
RFQ
SAV-581+

Ficha técnica

- SC-82A, SOT-343 Tape & Reel (TR) Active E-pHEMT - 45MHz ~ 6GHz 22.3dB 3 V - 1.5dB 30 mA 20.5dBm 5 V - - Surface Mount MMM1362
SAV-331+

SAV-331+

RF MOSFET D-PHEMT 4V MMM1362

Mini-Circuits

999
RFQ
SAV-331+

Ficha técnica

- SC-82A, SOT-343 Tape & Reel (TR) Active D-pHEMT - 10MHz ~ 4GHz 24.6dB 4 V - 0.9dB 60 mA 21.1dBm 5 V - - Surface Mount MMM1362
TAV2-14LN+

TAV2-14LN+

RF MOSFET E-PHEMT 4V

Mini-Circuits

1,134
RFQ
TAV2-14LN+

Ficha técnica

- 6-TDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active E-pHEMT - 50MHz ~ 10GHz 23.4dB 4 V 2µA 2.5dB 4 mA 19.4dBm 5 V - - Surface Mount -
CE3512K2

CE3512K2

RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX

CEL

833
RFQ
CE3512K2

Ficha técnica

- 4-Micro-X Strip Active pHEMT FET - 12GHz 13.7dB 2 V 15mA 0.5dB 10 mA 125mW 4 V - - - 4-Micro-X
AFT05MS006NT1

AFT05MS006NT1

RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W

NXP USA Inc.

1,163
RFQ
AFT05MS006NT1

Ficha técnica

- PLD-1.5W Tape & Reel (TR) Not For New Designs LDMOS - 520MHz 18.3dB 7.5 V - - 100 mA 6W 30 V - - Surface Mount PLD-1.5W
PD55003TR-E

PD55003TR-E

RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10

STMicroelectronics

600
RFQ
PD55003TR-E

Ficha técnica

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 500MHz 17dB 12.5 V 2.5A - 50 mA 3W 40 V - - - 10-PowerSO
PD55003S-E

PD55003S-E

RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF

STMicroelectronics

638
RFQ
PD55003S-E

Ficha técnica

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Active LDMOS - 500MHz 17dB 12.5 V 2.5A - 50 mA 3W 40 V - - - PowerSO-10RF (Straight Lead)
PD55003-E

PD55003-E

RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10

STMicroelectronics

399
RFQ
PD55003-E

Ficha técnica

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Active LDMOS - 500MHz 17dB 12.5 V 2.5A - 50 mA 3W 40 V - - - 10-PowerSO
Total 3380 Record«Prev123456789...169Next»

Comece agora!

Obtenha as últimas notícias

EASTECH Electronics

Início

EASTECH Electronics

Pesquisar

EASTECH Electronics

Produtos

EASTECH Electronics

Whatsapp

Enviando...
×
Enviado com sucesso!
Obrigado pelo seu envio, nossa equipe de vendas receberá sua solicitação e entraremos em contato dentro de 12 horas com uma cotação.
OK