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FETs, MOSFETs

Foto Nº da peça do fabricante Disponibilidade Preço Quantidade Ficha técnica Série Pacote/Caixa Embalagem Status do produto Tipo FET Tecnologia Dreno para tensão de fonte (Vdss) Corrente - Dreno contínuo (Id) @ 25 °C Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado) Rds ligado (Máx.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Máx.) @ Id Carga de porta (Qg) (máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds Característica FET Dissipação de Energia (Máx.) Temperatura operacional Grau Qualificação Tipo de montagem Pacote do dispositivo do fornecedor
62-0095PBF

62-0095PBF

MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8SOIC

Infineon Technologies

9,346
RFQ
62-0095PBF

Ficha técnica

- - Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 10A (Ta), 12A (Tc) 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V 2.55V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V - 900 pF @ 10 V - 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
62-0136PBF

62-0136PBF

MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC

Infineon Technologies

7,341
RFQ
62-0136PBF

Ficha técnica

- - Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 19A (Ta) 10V 4.5mOhm @ 19A, 10V 2.25V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 3710 pF @ 15 V - 2.5W -55°C ~ 150°C (TA) - - Surface Mount -
62-0218PBF

62-0218PBF

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO

Infineon Technologies

6,666
RFQ
62-0218PBF

Ficha técnica

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
62-0258PBF

62-0258PBF

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO

Infineon Technologies

9,309
RFQ
62-0258PBF

Ficha técnica

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
64-2028

64-2028

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Infineon Technologies

8,547
RFQ
64-2028

Ficha técnica

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
64-2120PBF

64-2120PBF

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Infineon Technologies

4,809
RFQ
64-2120PBF

Ficha técnica

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
64-2127PBF

64-2127PBF

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

Infineon Technologies

4,406
RFQ
64-2127PBF

Ficha técnica

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
64-2137PBF

64-2137PBF

MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

Infineon Technologies

5,601
RFQ
64-2137PBF

Ficha técnica

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
64-2143PBF

64-2143PBF

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

Infineon Technologies

4,790
RFQ
64-2143PBF

Ficha técnica

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
64-2155PBF

64-2155PBF

MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK

Infineon Technologies

5,148
RFQ
64-2155PBF

Ficha técnica

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
94-2183PBF

94-2183PBF

MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK

Infineon Technologies

9,369
RFQ
94-2183PBF

Ficha técnica

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
94-2436PBF

94-2436PBF

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Infineon Technologies

5,400
RFQ
94-2436PBF

Ficha técnica

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
98-0193

98-0193

IC MOSFET HS PWR SW 35A D2PAK

Infineon Technologies

4,894
RFQ
98-0193

Ficha técnica

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUXBNLS3036TRL

AUXBNLS3036TRL

MOSFET N-CH 60V 195A D2-PAK

Infineon Technologies

6,271
RFQ
AUXBNLS3036TRL

Ficha técnica

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUXDIFZ44ESTRL

AUXDIFZ44ESTRL

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

Infineon Technologies

6,674
RFQ
AUXDIFZ44ESTRL

Ficha técnica

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPI50R399CPXKSA2

IPI50R399CPXKSA2

MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3

Infineon Technologies

4,556
RFQ
IPI50R399CPXKSA2

Ficha técnica

CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9A (Tc) 10V 399mOhm @ 4.9A, 10V 3.5V @ 330µA 23 nC @ 10 V ±20V 890 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPP023N04NGHKSA1

IPP023N04NGHKSA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3

Infineon Technologies

8,760
RFQ
IPP023N04NGHKSA1

Ficha técnica

OptiMOS™ 3 - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPP037N06L3GHKSA1

IPP037N06L3GHKSA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

Infineon Technologies

4,133
RFQ
IPP037N06L3GHKSA1

Ficha técnica

OptiMOS™ 3 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 93µA 79 nC @ 4.5 V ±20V 13000 pF @ 30 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP05CN10NGHKSA1

IPP05CN10NGHKSA1

MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

Infineon Technologies

8,386
RFQ
IPP05CN10NGHKSA1

Ficha técnica

OptiMOS™ 2 - Tube Active - - - 100A (Tc) - - - - - - - - - - - - -
SPP11N65C3HKSA1

SPP11N65C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

Infineon Technologies

3,532
RFQ
SPP11N65C3HKSA1

Ficha técnica

CoolMOS™ - Tube Active - - - 11A (Tc) - - - - - - - - - - - - -

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