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FETs, MOSFETs

Foto Nº da peça do fabricante Disponibilidade Preço Quantidade Ficha técnica Série Pacote/Caixa Embalagem Status do produto Tipo FET Tecnologia Dreno para tensão de fonte (Vdss) Corrente - Dreno contínuo (Id) @ 25 °C Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado) Rds ligado (Máx.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Máx.) @ Id Carga de porta (Qg) (máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds Característica FET Dissipação de Energia (Máx.) Temperatura operacional Grau Qualificação Tipo de montagem Pacote do dispositivo do fornecedor
BUK7Y25-60E/GFX

BUK7Y25-60E/GFX

MOSFET N-CH LFPAK

NXP USA Inc.

5,780
RFQ

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK7Y25-80E/CX

BUK7Y25-80E/CX

MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56

NXP USA Inc.

2,947
RFQ

-

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 39A (Tc) 10V 25mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 25.9 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 25 V - 95W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/GFX

MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56

NXP USA Inc.

3,397
RFQ

-

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 39A (Tc) 10V 25mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 25.9 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 25 V - 95W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
BUK9Y11-30B/C1,115

BUK9Y11-30B/C1,115

TRANS N-CH LFPAK

NXP USA Inc.

6,143
RFQ

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
CA/JCOP/MF4K/4B-UZ

CA/JCOP/MF4K/4B-UZ

CA/JCOP/MF4K/4B-UZ

NXP USA Inc.

2,527
RFQ

-

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
NX2020P1X

NX2020P1X

NX2020P1X

NXP USA Inc.

8,203
RFQ

-

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
NX7002AK.R

NX7002AK.R

NX7002AK.R

NXP USA Inc.

7,435
RFQ

-

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PMV48XP/ZLR

PMV48XP/ZLR

PMV48XP/ZLR

Nexperia USA Inc.

2,568
RFQ
PMV48XP/ZLR

Ficha técnica

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 55mOhm @ 2.4A, 4.5V 1.25V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±12V 1000 pF @ 10 V - 510mW (Ta), 4.15W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-236AB
PMZB290UN/FYL

PMZB290UN/FYL

PMZB290UN/FYL

NXP USA Inc.

4,536
RFQ

-

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN0R9-25YLC/GFX

PSMN0R9-25YLC/GFX

PSMN0R9-25YLC/GFX

NXP USA Inc.

4,975
RFQ

-

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN2R2-30YLC/GFX

PSMN2R2-30YLC/GFX

PSMN2R2-30YLC/GFX

NXP USA Inc.

9,267
RFQ

-

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN2R9-25YLC/GFX

PSMN2R9-25YLC/GFX

PSMN2R9-25YLC/GFX

NXP USA Inc.

5,409
RFQ

-

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN2R9-30MLC/GFX

PSMN2R9-30MLC/GFX

PSMN2R9-30MLC/GFX

NXP USA Inc.

5,248
RFQ

-

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN6R5-25YLC/GFX

PSMN6R5-25YLC/GFX

PSMN6R5-25YLC/GFX

NXP USA Inc.

8,013
RFQ

-

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
SI4128BDY-T1-GE3

SI4128BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V

Vishay Siliconix

6,320
RFQ
SI4128BDY-T1-GE3

Ficha técnica

TrenchFET® - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - 8.3A (Ta), 12A (Tc) 4.5V, 10V - - - ±25V - - - - - - - -
SIR774DP-T1-GE3

SIR774DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V

Vishay Siliconix

5,561
RFQ
SIR774DP-T1-GE3

Ficha técnica

SkyFET®, TrenchFET® - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - 32A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V - - - ±20V - - - - - - - -
IPD50R2K0CEBTMA1

IPD50R2K0CEBTMA1

CONSUMER

Infineon Technologies

6,848
RFQ
IPD50R2K0CEBTMA1

Ficha técnica

CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3.6A (Tc) 13V 2Ohm @ 600mA, 13V 3.5V @ 50µA 6 nC @ 10 V ±20V 124 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPI70R950CEXKSA1

IPI70R950CEXKSA1

CONSUMER

Infineon Technologies

7,554
RFQ
IPI70R950CEXKSA1

Ficha técnica

CoolMOS™ CE TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 7.4A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 150µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 328 pF @ 100 V - 68W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
IPS60R2K1CEAKMA1

IPS60R2K1CEAKMA1

CONSUMER

Infineon Technologies

7,230
RFQ
IPS60R2K1CEAKMA1

Ficha técnica

CoolMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.7A (Tj) 10V 2.1Ohm @ 760mA, 10V 3.5V @ 60µA 6.7 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 100 V - 38W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
IPS60R650CEAKMA1

IPS60R650CEAKMA1

CONSUMER

Infineon Technologies

3,486
RFQ
IPS60R650CEAKMA1

Ficha técnica

CoolMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.9A (Tj) 10V 650mOhm @ 2.4A, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 82W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3

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